基本情報

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大西 彰正

OHNISHI Akimasa


職名

教授

ホームページ

http://sci.kj.yamagata-u.ac.jp/~kitaura/index.html

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 物性Ⅰ

  • 応用物性

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 福井大学  工学研究科  電子工学専攻

    修士課程,1992年03月,修了

  • 京都大学  理学研究科  物理学専攻

    博士課程,1994年08月,中退

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 博士(工学),福井大学,1999年03月

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 日本物理学会

  • 応用物理学会

 

研究テーマ 【 表示 / 非表示

  • (1)層状ハロゲン化合物における光励起状態の電子構造と緩和のダイナミクスに関する研究
    (2)ナノ結晶、クラスターの光学的性質に関する研究
    (3)低次元導体の輸送特性と磁気特性に関する研究

論文 【 表示 / 非表示

  • Comprehensive Study on Ce-Doped (Gd,La)(2)Si2O7 Scintillator,IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,65(8) 2136-2139,2018年08月

    共著(海外含む)

  • Shallow electron traps formed by Gd2+ ions adjacent to oxygen vacancies in cerium-doped Gd3Al2Ga3O12 crystals,APPLIED PHYSICS LETTERS,113(4) ,2018年07月

    共著(海外含む)

  • Observation of the possible chiral edge mode in Bi1-xSbx,NEW JOURNAL OF PHYSICS,20 ,2018年07月

    共著(海外含む)

  • Visualizing hidden electron trap levels in Gd3Al2Ga3O12:Ce crystals using a mid-infrared free-electron laser,APPLIED PHYSICS LETTERS,112(3) ,2018年01月

    共著(海外含む)

  • Energy location of Ce3+ 4f level and majority carrier type in Gd3Al2Ga3O12:Ce crystals studied by surface photovoltage spectroscopy,APPLIED PHYSICS LETTERS,110(25) ,2017年06月

    共著(海外含む)

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科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 基盤研究(C),2017年04月 ~ 2021年03月,フラットな最外内殻準位と反転分布状態を利用したシンチレーション光の高速・高強度化

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 2013年度,物理学特別研究(2年前期)

  • 2013年度,物理学特別演習III

  • 2013年度,熱・統計力学演習Ⅰ

  • 2013年度,物理学特別研究(2年後期)

  • 2013年度,物理学特別研究(1年後期)

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相談に応じられる分野 【 表示 / 非表示