基本情報

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大西 彰正

OHNISHI Akimasa


職名

教授

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専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 物性Ⅰ

 

研究テーマ 【 表示 / 非表示

  • (1)層状ハロゲン化合物における光励起状態の電子構造と緩和のダイナミクスに関する研究
    (2)ナノ結晶、クラスターの光学的性質に関する研究
    (3)低次元導体の輸送特性と磁気特性に関する研究

論文 【 表示 / 非表示

  • Visualizing hidden electron trap levels in Gd3Al2Ga3O12:Ce crystals using a mid-infrared free-electron laser,APPLIED PHYSICS LETTERS,112(3) ,2018年01月

    共著

  • Energy location of Ce3+ 4f level and majority carrier type in Gd3Al2Ga3O12:Ce crystals studied by surface photovoltage spectroscopy,APPLIED PHYSICS LETTERS,110(25) ,2017年06月

    共著

  • Probing shallow electron traps in cerium-doped Gd3Al2Ga3O12 scintillators by UV-induced absorption spectroscopy,APPLIED PHYSICS EXPRESS ,9(7) ,2016年07月

    共著

  • 分子性イオン結晶における新型オージェ・フリー発光の発見,光学,2016年

    共著

  • Excitation process of Ce3+ and Eu2+ ions doped in SrGa2S2 crystals under the condition of muliplication of electron excitations,J. Lumin,2016年

    共著

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担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 2013年度,物理学特別研究(2年前期)

  • 2013年度,物理学特別演習III

  • 2013年度,熱・統計力学演習Ⅰ

  • 2013年度,物理学特別研究(2年後期)

  • 2013年度,物理学特別研究(1年後期)

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相談に応じられる分野 【 表示 / 非表示