基本情報

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大西 彰正

OHNISHI Akimasa


職名

教授

研究室電話

023-628-4562

研究室FAX

023-628-4567

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専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 物性Ⅰ

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 福井大学  工学部  電子工学科

    1990年03月,卒業

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 福井大学  工学研究科  電子工学専攻

    修士課程,1992年03月,修了

  • 京都大学  理学研究科  物理学専攻

    博士課程,1994年08月,中退

 

研究テーマ 【 表示 / 非表示

  • (1)層状ハロゲン化合物における光励起状態の電子構造と緩和のダイナミクスに関する研究
    (2)ナノ結晶、クラスターの光学的性質に関する研究
    (3)低次元導体の輸送特性と磁気特性に関する研究

論文 【 表示 / 非表示

  • Optical Absorption of CdI2 Single Molecule and Clusters,Journal of the Physical Society of Japan,78(10) 104704-1-104704-5,2009年10月

    共著

  • Photoluminescence of forsterite single crystals excited by vacuum ultraviolet rediation,phisica status solidi c,6(1) 236-239,2009年01月

    共著

  • Luminescene from self-trapped excitons in BaFI and BaFBr1-xIx crystals,physica status solidi b,245(12) 2815-2820,2008年12月

    共著

  • Magnetic-Field-Induced Quantum Oscillation in η-Mo4O11,Journal of the Physical Society of Japan,77(7) 074605-1-074605-6,2008年07月

    共著

  • Fabrication of Zn1-xMgxO Fine Bulk Crystals and Nanocrystals by Complex Decomposition Method and Their Characterization,Japanese Journal of Applied Physics,46(4A) 1432-1436,2007年04月

    共著

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総説・解説記事 【 表示 / 非表示

  • 高温超伝導体におけるボルテックスのダイナミクス,エヌ・ティー・エス,未来材料,3(8) 14-19,2003年08月

  • CdI2結晶での緩和励起子状態からの誘導発光と励起子レーザー,電子情報通信学会,電子情報通信学会技術研究報告,90(68) 67-72,1990年05月

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 2013年度,物理学特別研究(2年前期)

  • 2013年度,物理学特別演習III

  • 2013年度,熱・統計力学演習Ⅰ

  • 2013年度,物理学特別研究(2年後期)

  • 2013年度,物理学特別研究(1年後期)

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相談に応じられる分野 【 表示 / 非表示