基本情報

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廣瀬 文彦

HIROSE Fumihiko


職名

教授

研究室FAX

0238-26-3299

ホームページ

http://fhirose.yz.yamagata-u.ac.jp

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 東北大学  電気通信学部  電子工学科

    1987年03月,卒業

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 東北大学  工学研究科  電子工学専攻

    博士課程,1992年03月,修了

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 博士(工学),東北大学,1992年03月

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会

  • 電気学会

 

研究テーマ 【 表示 / 非表示

  • 高速半導体デバイスの研究
    SiC、SiGeエピタキシー
    高機能光触媒膜
    ヘテロデバイスの研究

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • ナノ構造体,1900年04月 ~ 継続中

    ナノ構造体

  • 電子デバイス,1900年04月 ~ 継続中

    電子デバイス

論文 【 表示 / 非表示

  • In-situ observation of N719 adsorbed on TiO2 in dye sensitized solar cells by IR absorption spectroscopy,Electrochemical Solid-state Letters,12(12) 167-170,2009年12月

    単著

  • P3HT/Al organic/inorganic heterojunction diodes investigated by I-V and C-V measurements,IEICE Transactions on Electronics ,92-C(12) 1475-1478,2009年11月

    共著

  • Adsorption density control of N719 on TiO2 electrodes for highly efficient dye sensitized solar cells,Journal of Electrochemical Society,156(9) B987-B990,2009年11月

    共著

  • Effects of surface oxide on SiGe/Si diode characteristics,Solid State Electronics, 46 (9) (2002) pp. 1259-1263,2002年09月

    共著

  • Effect of Ge on the P doping in Si gas-source molecular beam epitaxy,,2000年07月

    共著

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相談に応じられる分野 【 表示 / 非表示

 

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