研究者詳細 - 松下　浩一

写真a

マツシタ　コウイチ

松下　浩一

MATSUSHITA Koichi

職名

教授（転出・退職）

生年

1953年

メールアドレス

研究室電話

0238-26-3281

研究室FAX

0238-26-3299

ホームページ

http://ea3pch.yz.yamagata-u.ac.jp/member/matsu/matsuH956.htm

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
ナノテク・材料 / 応用物理一般

出身大学

東北大学工学部電子工学科

1976年03月，卒業

出身大学院

東北大学工学研究科電子工学専攻

修士課程，1978年03月，修了

取得学位

工学博士，東北大学，1986年10月
工学修士，東北大学，1978年03月
工学士，東北大学，1976年03月

学外略歴

東北大学　工学部　電子工学科，助手，1978年04月～ 1986年11月

所属学会・委員会

電子情報通信学会
応用物理学会
電気学会
日本表面科学会
次世代センサ協議会

研究テーマ

(1)マイクロマシニング：ＥＲ流体を用いた携帯型点字システムの開発　

(2)光触媒関連材料：酸化チタンTiO2の光触媒効果の高真空中での発現の開発

(3)表面状態の簡易測定法の開発：水滴，Ga液滴の接触角測定による半導体処理面の観察，マイクロバンプの形成

研究経歴

半導体の低温エピタキシャル成長に関する研究，1978年04月～ 2005年03月

低温エピタキシャル成長,半導体,プラズマ
半導体の表面エネルギーの測定に関する研究，1986年12月～継続中

表面エネルギー,半導体,接触角
マイクロマシンに関する研究，1990年04月～継続中

マイクロマシン
ＥＲ流体を用いた携帯型点字システムの開発，2000年04月～継続中

ＥＲ流体　電気粘性流体　点字　低電圧　低圧力　携帯型　システム

論文

Homoepitaxial growth of ZnO films on ZnO(112~0) substrates，Applied Surface Science，244 373-376，2005年01月

Y.Kashiwaba, H.Kato, T.Kikuchi, I.Niikura, K.Matsushita, and Y.Kashiwaba

共著（海外含む）
Properties of ZnO films prepared by MO-CVD under oxygen rich condition on sapphire substrate， physica status solidi (c) 1，( 4) 912-915，2004年02月

Y.Kashiwaba, K.Haga, H.Watanabe, B.P.Zhang, Y.Segawa, and K.Matsushita

共著（海外含む）
Three-ports Micro ER Valve for ER Suspension Fabricated by Photolithography， J.Intelligent Material Systems and Structures，13 503-508，2002年08月

M.Nakano, T.Katou, A.Satou, K.Miyata, K.Matsusita

共著（海外含む）
In-Situ Observation of GaAs Surface in High Vacuum by Contact AngleMeasurement，Electronics and Communications in Japan, Part2，84(11) 51-59，2001年11月

K.Matsushita, T.Monbara, K.Nakayama, H.Naganuma, S.Okuyama and K.Okuyama

共著（海外含む）
Characterization of Pure Water-Treated GaAs Surfaces by Measuring Contact Angles of Water Droplets， J.Electrochem.Soc.，148(8) G401-G405，2001年08月

K.Matsushita, A.Fujisawa, N.Ando, H.Kobayashi, H.Naganuma, S.Okuyama and K.Okuyama

共著（海外含む）
高真空中接触角測定法によるGaAs表面状態の「その場」観察，電子情報通信学会論文誌，C，J84-C(.2) 136-143，2001年02月

松下浩一, 門原拓也，中山健，長沼博，奥山澄雄，奥山克郎

共著（国内のみ）
Hydrogen Gas Sensing Using a Pd-Coated Cantilever，Jpn. J. Appl. Phys.，39(6A) 3584-3590，2000年06月

S.Okuyama, Y.Mitobe, K.Okuyama and K.Matsushita

共著（海外含む）
Hydrophobicity of Hydrochloric-Treated GaAs Surface Analyzed by Contact Angle Measurement， J.Electrochem.Soc.，145(4) 1381-1384，1998年04月

K.Matsushita, N.Suzuki, S.Okuyama and K.Okuyama

共著（海外含む）
Hydrogen-induced light emission from an organic electroluminescent device， Appl.Phys.Lett.，71(20) 2877-2879，1997年11月

S.Okuyama, Y.Ito, T.Sugawara, K.Okuyama, K.Matsushita and J.Kido

共著（海外含む）
Improved Response Time of Al/Al2O3-Pd Tunnel Diode Hydrogen Gas Sensor，Jpn.J.Appl.Phys.，36(11) 6905-6908，1997年11月

S.Okuyama, H.Usami, K.Okuyama, H.Yamada and K.Matsushita

共著（海外含む）
Pd/Ni-Al2O3-Al Tunnel Diode as High-Concentration-Hydrogen Gas Sensor，Jpn.J.Appl.Phys.，36(3A) 1228-1232，1997年03月

S.Okuyama, K.Umemoto, K.Okuyama, S.Ohshima and K.Matsushita

共著（海外含む）
Hydrofluoric-Treated GaAs Surfaces Analyzed by Contact Angle Measurement and Auger Electron Spectroscopy，Jpn.J.Appl.Phys.，35(10) 5293-5296，1996年10月

K.Matsushita, N.Suzuki, S.Okuyama and Y.Kumagai

共著（海外含む）
Current vs Voltage Characteristics of Al-Al2O3-Pd Tunnel Junction Hydrogen Sensor， Jpn.J.Appl.Phys.，35(4A) 2266-2270，1996年04月

S.Okuyama, K.Okuyama, N.Takinami, K.Matsushita and Y.Kumagai

共著（海外含む）
Electrochemical Intercalation of Organic Molecules into Layered Oxides, MoO3， Materials Research Bulletin，31(3,) 283-294，1996年03月

K.Ara, H.Tagaya, T.Ogata, K.Matsushita, J.Kadokawa, M.Karasu and K.Chiba

共著（海外含む）
Positive-working alkaline-developable photosensitive polyimide precursor based on polyisoimide using diazonaphthoquinone as a dissolution inhibitor， Polymer，36 2153-2158，1995年06月

A.Mochizuki, T.Teranishi, M.Ueda and K.Matsushita

共著（海外含む）
Positive-working photosensitive polyimide precursor based on polyisoimide using nifedipine as a dissolution inhibitor， High Perform. Polym.，6 225-233，1994年12月

A.Mochizuki, K.Yamada, T.Teranishi, K.Matsushita and M.Ueda

共著（海外含む）
Observation of HCl-and HF-Treated GaAs Surfaces by Measuring Contact Angles of Water Droplets， Jpn.J.Appl.Phys.，33(8) 4576-4580，1994年08月

K.Matsushita, S.Miyazaki, S.Okuyama and Y.Kumagai

共著（海外含む）
Electrochemical Intercalation of Organic Molecules into Thin Film of Layered Oxide MoO<sub>3</sub>，Chemistry Letters，2439-2442，1994年04月

H. Tagaya, K. Ara, T. Ogata, K. Matsushita, J. Kadokawa, M. Karasu, K. Chiba

共著（海外含む）
Electrochemical Detection of Defects in Ge/GaAs Structures by an Anodic Dissolution Method under Illumination， J. Electrochem. Soc.，140(7) 2097-2100，1993年07月

K.Matsushita, R.Chiba, S.Okuyama and Y.Kumagai

共著（海外含む）
Suppression of InP Substrate Degradation by Hydrogen Plasma Caused by the Presence of Phosphorus Vapour， Electronics Lett.，26(9) 564-566，1990年04月

R.Schuetz, K.Matsushita, H.L.Hartnagel, J.Y.Longere, S.K.Krawczyk

共著（海外含む）
Plasma-Assisted Epitaxial Growth of InAs， Appl.Phys.Lett.，54(14) 1338-1340，1989年04月

S.F.Fang, K.Matsushita and T.Hariu

共著（海外含む）
Low Temperature Epitaxial Growth of Highly-Conductive ZnSe Layers in Mixed Plasma of Hydrogen and Hydrogen Chloride， Jpn.J.Appl.Phys.，26(6) L893-L895，1987年06月

S.Yamauchi, T.Hariu and K.Matsushita

共著（海外含む）
Quenching and Recovery Spectra of Midgap Levels (EL2) in Semi.Insulating GaAs Measured by Double-Beam Photoconductivity， J.Appl.Phys.，61(3) 1068-1072，1987年02月

T.Hariu, T.Sato, H.Komori and K.Matsushita

共著（海外含む）
Plasma-Assisted Deposition and Epitaxy of ZnSe， Vacuum，36(1) 133-137，1986年01月

H.Sato, O.Osada,K.Matsushita,T.Hariu and Y.Shibata

共著（海外含む）
Photoluminescent Determination of Mn Concentration and its Diffusion in Semi-Insulating GaAs， J.Appl.Phys.，57(4) 1109-1113，1985年02月

Y.Sasaki, T.Sato, K.Matsushita, T.Hariu and Y.Shibata

共著（海外含む）
Plasma-Assisted Epitaxial Growth of GaAs and GaSb Layers in Hydrogen Plasma， IEEE Trans. on ED，31(8) 1092-1096，1984年08月

K.Matsushita, T.Sato, Y.Sato, Y.Sugiyama, T.Hariu and Y.Shibata

共著（海外含む）
プラズマを用いた化合物半導体の高速低温エピタキシャル成長法，真空，27(7) 569-580，1984年07月

松下浩一、佐藤泰史、針生尚、柴田幸男

共著（国内のみ）
Plasma-Assisted Epitaxial Growth of GaSb in Hydrogen Plasma， Appl.Phys.Lett.，44(6) 592-594，1984年03月

Y.Sato, K.Matsushita, T.Hariu and Y.Shibata

共著（海外含む）
Plasma-Assisted Epitaxial Growth of GaSb in Hydrogen Plasma， Proc. ISIAT'83 & IPAT'83, Kyoto，1103-1107，1983年09月

Y.Sato, K.Matsushita, T.Hariu and Y.Shibata

共著（海外含む）
Heavily Te-Doped GaAs Layers by Plasma-Assisted Epitaxy， Jpn.J.Appl.Phys.，22(9) L602-L604，1983年09月

K.Matsushita, Y.Sugiyama, S.Igarashi, T.Hariu and Y.Shibata

共著（海外含む）
A Comparative Study of the Deposition Conditions in the Plasma Assisted Deposition of Gallium Nitride Thin Films， Thin Solid Films，80 243-247，1981年07月

K.Matsushita, Y.Matsuno, T.Hariu and Y.Shibata

共著（海外含む）
Low Temperature Thermal Nitridation of GaAs Surfaces， Jpn.J.Appl.Phys，19(7) L383-L385，1980年07月

Y.Matsuno, K.Matsushita, T.Hariu and Y.Shibata

共著（海外含む）
Some Aspects on the Mechanism of Anodic Oxidation of GaAs， J.Electrochem.Soc.，126(7) 1268-1272，1979年07月

K.Matsushita, T.Hariu, H.Adachi and Y.Shibata

共著（海外含む）
Gallium Oxide Film by Anodic Oxidization of Gallium，Jpn.J.Appl.Phys.,，16(8) 1459-1460，1977年04月

松下　浩一

共著（海外含む）
New Etch Pits on GaAs Revealed by Etching after Anodic Oxidation，J.Appl.Phys.,，48(4) 1722-1723，1977年04月

松下　浩一

共著（海外含む）

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著書

Properties of Indium Phosphide，An Inspec publication，1991年04月

S.Adachi, ・・・, K. Matsushita
化合物半導体のプラズマ・アシステド・エピタキシー，博士論文，1986年07月

松下浩一

工業所有権

特許，「マイクロ形状異方性素子」，宗像誠、松下浩一、大嶋重利、小山清人、高橋幸司、上田充

出願番号（特願平4-117733 ），日本国

科研費（文科省・学振）獲得実績

基盤研究(B)，2003年04月～ 2006年03月，ER流体のマイクロギャップにおける流動特性とその触覚ディスプレイへの応用

ER流体のマイクロギャップにおける流動特性とその触覚ディスプレイへの応用
基盤研究(B)，1999年04月～ 2002年03月，ER流体のマイクロ流動とそのマイクロシステムへの応用

ER流体のマイクロ流動とそのマイクロシステムへの応用
基盤研究(B)，1996年04月～ 1999年03月，超高真空中接触角測定法によるエピタキシャル成長基板表面の『その場』観察

超高真空中でＧａ液滴をエピタキシャル成長させる基板と接触させ，その接触角を測定法することにより，エピタキシャル成長基板表面の状況を真空中で，『その場』で観察する方法を確立し，より低温で高品質なエピタキシャル成長薄膜を作成する条件を見出すことを目的とした。
奨励研究（Ａ），1988年04月～ 1989年03月，プラズマ電位を制御したプラズマ空間中でのＧｅ薄膜の低温エピタキシャル成長

プラズマ電位を制御することにより，プラズマ状態を変化させ，そのプラズマ空間中でＧｅ薄膜を成長させることにより，Ｇｅ薄膜を低温でエピタキシャル成長させようとする研究である。

共同研究希望テーマ

ＥＲ流体の基礎特性を考慮し低油圧・低電圧化した携帯型点字システムの開発，未設定
マイクロマシンに関する研究，産学連携、民間を含む他機関等との共同研究等を希望する，共同研究
半導体の表面エネルギーの測定に関する研究，産学連携、民間を含む他機関等との共同研究等を希望する，共同研究

担当授業科目

2018年度，電子回路（電気）
2018年度，電気回路Ⅰ演習
2018年度，電気回路Ⅰ
2014年度，アナログ回路
2014年度，スタートアップセミナー（工学部・電気電子工学科）
2014年度，半導体デバイスプロセス
2014年度，電子回路（電気）
2014年度，電磁気学基礎
2013年度，電気回路II及び演習
2013年度，電子回路（電気）
2013年度，電磁気学基礎

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学会・委員会等活動

電気学会，東北支部山形支所長，2003年04月～ 2005年03月
日本表面科学会，日本表面科学会東北支部長，2002年04月～ 2003年03月

社会貢献活動

科学フェスティバルinよねざわ2009，2009年08月

相談に応じられる分野

半導体表面特性を利用したセンサ及びマイクロマシンの開発

http://www2.yz.yamagata-u.ac.jp/research/seeds/pdf22_j/7_11matsushita.pdf
半導体表面/センサ/マイクロマシン