基本情報

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松下 浩一

MATSUSHITA Koichi


職名

教授(転出・退職)

生年

1953年

メールアドレス

メールアドレス

研究室電話

0238-26-3281

研究室FAX

0238-26-3299

ホームページ

http://ea3pch.yz.yamagata-u.ac.jp/member/matsu/matsuH956.htm

研究分野 【 表示 / 非表示

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  • ナノテク・材料 / 応用物理一般

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 東北大学  工学部  電子工学科

    1976年03月,卒業

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 東北大学  工学研究科  電子工学専攻

    修士課程,1978年03月,修了

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 工学博士,東北大学,1986年10月

  • 工学修士,東北大学,1978年03月

  • 工学士,東北大学,1976年03月

学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 東北大学 工学部 電子工学科,助手,1978年04月 ~ 1986年11月

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 電子情報通信学会

  • 応用物理学会

  • 電気学会

  • 日本表面科学会

  • 次世代センサ協議会

 

研究テーマ 【 表示 / 非表示

  • (1)マイクロマシニング:ER流体を用いた携帯型点字システムの開発 

    (2)光触媒関連材料:酸化チタンTiO2の光触媒効果の高真空中での発現の開発

    (3)表面状態の簡易測定法の開発:水滴,Ga液滴の接触角測定による半導体処理面の観察,マイクロバンプの形成 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • 半導体の低温エピタキシャル成長に関する研究,1978年04月 ~ 2005年03月

    低温エピタキシャル成長,半導体,プラズマ

  • 半導体の表面エネルギーの測定に関する研究,1986年12月 ~ 継続中

    表面エネルギー,半導体,接触角

  • マイクロマシンに関する研究,1990年04月 ~ 継続中

    マイクロマシン

  • ER流体を用いた携帯型点字システムの開発,2000年04月 ~ 継続中

    ER流体 電気粘性流体 点字 低電圧 低圧力 携帯型 システム

論文 【 表示 / 非表示

  • Homoepitaxial growth of ZnO films on ZnO(112~0) substrates,Applied Surface Science,244 373-376,2005年01月

    Y.Kashiwaba, H.Kato, T.Kikuchi, I.Niikura, K.Matsushita, and Y.Kashiwaba

    共著(海外含む)

  • Properties of ZnO films prepared by MO-CVD under oxygen rich condition on sapphire substrate, physica status solidi (c) 1,( 4) 912-915,2004年02月

    Y.Kashiwaba, K.Haga, H.Watanabe, B.P.Zhang, Y.Segawa, and K.Matsushita

    共著(海外含む)

  • Three-ports Micro ER Valve for ER Suspension Fabricated by Photolithography, J.Intelligent Material Systems and Structures,13 503-508,2002年08月

    M.Nakano, T.Katou, A.Satou, K.Miyata, K.Matsusita

    共著(海外含む)

  • In-Situ Observation of GaAs Surface in High Vacuum by Contact AngleMeasurement,Electronics and Communications in Japan, Part2,84(11) 51-59,2001年11月

    K.Matsushita, T.Monbara, K.Nakayama, H.Naganuma, S.Okuyama and K.Okuyama

    共著(海外含む)

  • Characterization of Pure Water-Treated GaAs Surfaces by Measuring Contact Angles of Water Droplets, J.Electrochem.Soc.,148(8) G401-G405,2001年08月

    K.Matsushita, A.Fujisawa, N.Ando, H.Kobayashi, H.Naganuma, S.Okuyama and K.Okuyama

    共著(海外含む)

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著書 【 表示 / 非表示

  • Properties of Indium Phosphide,An Inspec publication,1991年04月

    S.Adachi, ・・・, K. Matsushita

  • 化合物半導体のプラズマ・アシステド・エピタキシー,博士論文,1986年07月

    松下 浩一

工業所有権 【 表示 / 非表示

  • 特許,「マイクロ形状異方性素子」,宗像 誠、松下 浩一、大嶋 重利、小山 清人、高橋 幸司、上田 充

    出願番号( 特願平4-117733 ) ,日本国

科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 基盤研究(B),2003年04月 ~ 2006年03月,ER流体のマイクロギャップにおける流動特性とその触覚ディスプレイへの応用

    ER流体のマイクロギャップにおける流動特性とその触覚ディスプレイへの応用

  • 基盤研究(B),1999年04月 ~ 2002年03月,ER流体のマイクロ流動とそのマイクロシステムへの応用

    ER流体のマイクロ流動とそのマイクロシステムへの応用

  • 基盤研究(B),1996年04月 ~ 1999年03月,超高真空中接触角測定法によるエピタキシャル成長基板表面の『その場』観察

    超高真空中でGa液滴をエピタキシャル成長させる基板と接触させ,その接触角を測定法することにより,エピタキシャル成長基板表面の状況を真空中で,『その場』で観察する方法を確立し,より低温で高品質なエピタキシャル成長薄膜を作成する条件を見出すことを目的とした。

  • 奨励研究(A),1988年04月 ~ 1989年03月,プラズマ電位を制御したプラズマ空間中でのGe薄膜の低温エピタキシャル成長

    プラズマ電位を制御することにより,プラズマ状態を変化させ,そのプラズマ空間中でGe薄膜を成長させることにより,Ge薄膜を低温でエピタキシャル成長させようとする研究である。

共同研究希望テーマ 【 表示 / 非表示

  • ER流体の基礎特性を考慮し低油圧・低電圧化した携帯型点字システムの開発,未設定

  • マイクロマシンに関する研究,産学連携、民間を含む他機関等との共同研究等を希望する,共同研究

  • 半導体の表面エネルギーの測定に関する研究,産学連携、民間を含む他機関等との共同研究等を希望する,共同研究

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

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学会・委員会等活動 【 表示 / 非表示

  • 電気学会,東北支部山形支所長,2003年04月 ~ 2005年03月

  • 日本表面科学会,日本表面科学会東北支部長,2002年04月 ~ 2003年03月

社会貢献活動 【 表示 / 非表示

  • 科学フェスティバルinよねざわ2009,2009年08月

相談に応じられる分野 【 表示 / 非表示