2023/11/21 更新

写真a

ナリタ ユズル
成田 克
NARITA Yuzuru
職名
准教授
生年
1976年

研究分野

  • ナノテク・材料 / 応用物性

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

  • ナノテク・材料 / 複合材料、界面

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • ナノテク・材料 / 結晶工学

  • ナノテク・材料 / 応用物理一般

  • ナノテク・材料 / ナノ材料科学

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出身大学

  • 長岡技術科学大学  工学部  電気・電子システム工学課程

    1999年03月,卒業

出身大学院

  • 長岡技術科学大学  工学研究科  材料工学専攻

    博士課程,2004年03月,修了

取得学位

  • 博士(工学),長岡技術科学大学,2004年03月

学外略歴

  • 東北大学学際科学国際高等研究センター,大学等非常勤研究員,2004年04月 ~ 2006年02月

  • 九州工業大学工学部,大学等非常勤研究員,2006年03月 ~ 2008年02月

  • 山形大学,助教,2008年03月 ~ 2018年03月

  • 山形大学,准教授,2018年04月 ~ 継続中

所属学会・委員会

  • 応用物理学会

  • 日本表面科学会

  • 日本真空協会

  • 日本表面真空学会

  • 日本結晶成長学会

 

研究テーマ

  • 水素とシリコン表面の反応機構の解明
    シリコン上へのⅣ族系半導体結晶成長
    磁気トンネル接合の中性子線耐性評価
    グラフェンの低温形成技術の開発
    ワイドバンドギャップ半導体

研究経歴

  • シリコン上へのⅣ族系半導体結晶成長,2004年04月 ~ 継続中

  • 水素-シリコン表面反応,2006年04月 ~ 2014年04月

    脱離,引抜き反応

  • グラフェンの低温形成技術の開発,2011年04月 ~ 継続中

  • 磁気トンネル接合の中性子線耐性評価,2012年10月 ~ 2017年03月

  • 窒化ガリウム上オーミック電極形成,2016年12月 ~ 2022年03月

論文

  • Design and fabrication of microwave transmitting antenna using HTS thick disk for wireless power transfer,Journal of Physics: Conference Series,2323 012031,2022年

    A Saito, F Shimada, T Sato, K Kiyooka, M Shibata, S Ono, M Takeda, Y Narita, K Nakajima

    共著(国内のみ)

  • Fast neutron tolerance of the perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with junction diameters between 46 and 64 nm,Japanese Journal of Applied Physics,56(8) 0802B3-1-0802B3-5,2017年06月

    Yuzuru Narita, Yutaka Takahashi, Masahide Harada, Kenichi Oikawa, Daisuke Kobayashi, Kazuyuki Hirose, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

    共著(海外含む)

  • Effect of Introduction of Artificial Pinning Center in YBa2Cu3Oy Thin Films to Reduce Surface Resistance,IEEE Transactions on Applied Superconductivity,27(4) 1-4,2017年06月

    Naoki Takanashi, Masaya Kondo, Hiroaki Matsui, Yuzuru Narita, Atsushi Saito, Kensuke Nakajima, Shigetoshi Ohshima

    共著(海外含む)

  • Kinetics of hydrogen adsorption and desorption on Si(100) surfaces,Journal of Applied Physics,113(23) 234309,2013年06月

    Yuzuru Narita, Shoji Inanaga, Akira Namiki

    共著(海外含む)

  • 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製,表面科学,33(7) 376-381,2012年07月

    姉崎豊,大谷孝史,須藤晴紀,加藤孝弘,加藤有行,末光眞希,成田克,中澤日出樹,安井寛治

    共著(国内のみ)

  • Diffusion-promoted-desorption mechanism for D2 desorption from Si(100) surfaces ,Surface Science,605 32-39,2011年01月

    Y. Narita, S. Inanaga, C. Unoko, A. Namiki

    共著(海外含む)

  • Atomic layer deposition of SiO2 from Tris(dimethylamino)silane and ozone by using temperature-controlled water vapor treatment,Thin Solid Films,519 270-275,2010年08月

    F. Hirose, Y. Kinoshita, S. Shibuya, Y. Narita, Y. Takahashi, H. Miya, K. Hirahara, M. Niwano

    共著(海外含む)

  • Mechanical and Tribological Properties of Boron, Nitrogen-Coincorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Reactive Radio-Frequency Magnetron Sputtering,Diamond & Related Materials,19 503-506,2010年01月

    H. Nakazawa, A. Sudoh, M. Suemitsu, K. Yasui, T. Itoh, T. Endoh, Y. Narita, M. Mashita

    共著(海外含む)

  • Organic Gate Silicon Field Effect Transistors with Poly Methylmethacrylate Films for Science Education,IEICE Transactions on Electronics,E93-C(1) 108-111,2010年01月

    F. Hirose, T. Miyagi, Y. Narita

    共著(海外含む)

  • Effects of Silicon Source Gas and Substrate Bias on the Film Properties of Si-Incorporated Diamond-Like Carbon by Radio-Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,Japanese Journal of Applied Physics,(48) 116002-1-16002-8,2009年11月

    H. Nakazawa, T. Kinoshita, Y. Kaimori, Y. Asai, M. Suemitsu, T. Abe, K. Yasui, T. Endoh, T. Itoh, Y. Narita, Y. Enta, M. Mashita

    共著(海外含む)

  • In Situ Observation of N719 on TiO2 in Dye-Sensitized Solar Cells by IR Absorption Spectroscopy,Electrochemical and Solid-State Letters,12(12) B167-B170,2009年10月

    F. Hirose, K. Kuribayashi, M. Shikaku, Y. Narita

    共著(海外含む)

  • Time-of-flight distributions of HD molecules abstracted at a Si(100) surface,Surface Science,603 2607-2611,2009年08月

    S. Sato, Y. Narita, A.R. Khan, A. Namiki

    共著(海外含む)

  • Epitaxial growth of GaN films by pulse-mode hot-mesh chemical vapor deposition,Japanese Journal of Applied Physics,48 076509-076513,2009年07月

    Y. Komae, K. Yasui, M. Suemitsu, T. Endoh, T. Ito, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata, T. Akahane

    共著(海外含む)

  • Adsorption density control of N719 on TiO2 electrodes for highly efficient dye sensitized solar cells,Journal of Electrochemical Society,156(9) B987-B990,2009年06月

    F. Hirose, K. Kuribayashi, M. Shikaku, Y. Narita, Y. Takahashi, Y. Kimura, M. Niwano

    共著(海外含む)

  • Raman-Scattering Spectroscopy of Epitaxial Graphene Formed on SiC Film on Si Substrate,e-Journal of Surface Science and Nanotechnology,(7) 107-109,2009年02月

    Y. Miyamoto, H. Handa, E. Saito, A. Konno, Y. Narita, M. Suemitsu, H. Fukidome, T. Ito, K. Yasui, H. Nakazawa, T. Endoh

    共著(海外含む)

  • Substantially low desorption barriers in recombinative desorption of deuterium from the Si(100) surface,Surface Science,603 1168-1174,2009年02月

    Y. Narita, Y. Kihara, S. Inanaga, and A. Namiki

    共著(海外含む)

  • The growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method,Thin Solid Films,517 3528-3531,2009年01月

    Yasuaki Komae, Takeshi Saitou, Maki Suemitsu, Takashi Ito, Tetsuo Endoh, Hideki Nakazawa, Yuzuru Narita, Masasuke Takata, Tadashi Akahane, Kanji Yasui

    共著(海外含む)

  • Thin-Film Deposition of Silicon-Incorporated Diamond-Like Carbon by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Monomethylsilane as a Silicon Source,Japanease Journal of Applied Physics,47 8491-8497,2008年11月

    Hideki NAKAZAWA, Yuhki ASAI, Takeshi KINOSHITA, Maki SUEMITSU, Toshimi ABE, Kanji YASUI, Takashi ITOH, Tetsuo ENDOH, Yuzuru NARITA, Atsushi KONNO, Yoshiharu ENTA, and Masao MASHITA

    共著(海外含む)

  • Atomic hydrogen etching of silicon-incorporated diamond-like carbon films prepared by pulsed laser deposition,Diamond & Related Materials,18 831-834,2008年11月

    H. Nakazawa, H. Sugita, Y. Enta, M. Suemitsu, K. Yasui, T. Itoh, T. Endoh, Y. Narita, M. Mashita

    共著(海外含む)

  • Initial oxidation of HF-acid treated SiGe(100) surfaces under air exposure investigated by synchrotron radiation X-ray photoelectron spectroscopy and IR absorption spectroscopy,Thin Solid Films,517 209-212,2008年08月

    Yuzuru Narita, Fumihiko Hirose, Masaya Nagato, Yuta Kinoshita

    共著(海外含む)

  • UV treatment effect on TiO2 electrodes in dye sensitized solar cells with N719 sensitizer,Electrochemical and Solid-State Letters,11(7) A109-A111,2008年04月

    F. Hirose, K. Kuribayashi, T. Suzuki, Y. Narita, Y. Kimura, M. Niwano

    共著(海外含む)

  • Adsorption and abstraction of atomic hydrogen on the Si(110) surfaces,Surface Science,602 1979-1986,2008年04月

    A.R. Khan, Y. Narita, A. Namiki, A. Kato, M. Suemitsu

    共著(海外含む)

  • “Temperature Oscillation” as a Real-Time Monitoring of the Growth of 3C-SiC on Si Substrate,Applied Surface Science,254 6235-6237,2008年03月

    E. Saito, A. Konno, T. Ito, K. Yasui, H. Nakazawa, T. Endoh, Y. Narita, M. Suemitsu

    共著(海外含む)

  • Scattering of 300 K D2 effusive beams from the H/Si(100) surface,Surface Science,602 1585-1588,2008年03月

    S. Ueno, Y. Narita, A. R. Khan, Y. Kihara, A. Namiki

    共著(海外含む)

  • Growth of GaN Films by Hot-Mesh Chemical Vapor Deposition Using Ruthenium Coated Tungsten Mesh,Japanese Journal of Applied Physics,47 573-576,2008年01月

    Y. Fukada, K. Yasui, Y. Kuroki, M. Suemitsu, T. Ito, T. Endou, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata and T. Akahane

    共著(海外含む)

  • Growth of GaN on SiC/Si substrates using AlN buffer layer by hot-mesh CVD,Thin Solid Films,516 659-662,2007年08月

    K. Tamura, Y. Kuroki, K. Yasui, M. Suemitsu, T. Ito, T. Endou, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata and T. Akahane

    共著(海外含む)

  • Real-Time Observation of Initial Thermal Oxidation on Si(110)-16×2 Surface by O1s Photoemission Spectroscopy Using Synchrotron Radiation,Japanese Journal of Applied Physics,46 1888-1890,2007年04月

    M. Suemitsu, A. Kato, H. Togashi, A. Konno, Y. Yamamoto, Y. Teraoka, A. Yoshigoe, Y. Narita, Y. Enta

    共著(海外含む)

  • Initial Oxidation of HF-acid-treated Si(100) surfaces under air exposure studied by synchrotron radiation X-ray photoelectron spectroscopy,Surface Science,601 2302-2306,2007年03月

    F. Hirose, M. Nagato, Y. Kinoshita, Y. Narita, M. Suemitsu

    共著(海外含む)

  • Transient desorption of HD and D2 molecules from the D/Si(100) surfaces exposed to a modulated H-beam,Surface Science,601 1635-1641,2007年02月

    A.R. Khan, A. Takeo, S. Ueno, S. Inanaga, T. Yamauchi, Y. Narita, H. Tsurumaki, A. Namiki

    共著(海外含む)

  • Hydrogen-controlled crystallinity of 3C-SiC film on Si(001) grown with monomethylsilane,Japanese Journal of Applied Physics,46(2) L40-L42,2007年01月

    Y. Nartita, A. Konno, H. Nakazawa, M. Suemitsu

    共著(海外含む)

  • ZnO growth on 3C-SiC,Journal of the Korean Physical Society,49 903,2006年12月

    T. Minegishi, Y. Nartita, S. Tokairin, G. Fujimoto, H. Suzuki, Z. Vashaei, K. Sumitani, O. Sakata, M. Cho, T. Yao, M. Suemitsu

    共著(海外含む)

  • Real-Time Observation of Initial Thermal Oxidation on Si(110)-16×2 Surface by Photoemission Spectroscopy,ECS Transations,3 311-316,2006年12月

    M. Suemitsu, A. Kato, H. Togashi, A. Konno, Y. Yamamoto, Y. Teraoka, A. Yoshigoe, Y. Enta, Y. Narita

    共著(海外含む)

  • Heteroepitaxial growth of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate using monomethylsilane,ECS Transations,3 449-455,2006年12月

    A. Konno, Y. Narita, T. Ito, K. Yasui, H. Nakazawa, T. Endoh, M. Suemitsu

    共著(海外含む)

  • Suppression of Atomic Exchange between Ge and Si during Germane Adsorption on Si(001) Using Atomically Flat Surface,Thin Solid Films,508 166-168,2005年11月

    Y. Narita, T. Murata, M. Suemitsu

    共著(海外含む)

  • Ge Dot formation using Germane on a Monomethylsilane-Adsorbed Si(001)-2x1 Surface,Thin Solid Films,508 200-202,2005年11月

    Y. Narita, T. Murata, A. Kato, T. Endoh and M. Suemitsu

    共著(海外含む)

  • Interpretation of initial stage of 3C-SiC growth on Si(100) using dimethylsilane,Applied Surface Science,252 3460-3465,2005年06月

    Y. Narita, M. Harashima, K. Yasui, T. Akahane and M. Takata

    共著(海外含む)

  • (100)-oriented 3C-SiC polycrystalline film grown on SiO2 by hot-mesh chemical vapor deposition using monomethylsilane and hydrogen,Japanese Journal of Applied Physics,44 L809-L811,2005年06月

    Y. Narita, K. Yasui, J. Eto, T. Kurimoto and T. Akahane

    共著(海外含む)

  • Scanning-Tunneling Microscopy Observation of Monomethylsilane Adsorption on Si(111)-7×7,Japanese Journal of Applied Physics,44 1419-1421,2005年03月

    M. Sakai, M. Suemitsu and Y. Narita

    共著(海外含む)

  • Low-Temperature Heteroepitaxial Growth of SiC on (100)Si Using Hot-Mesh Chemical Vapor Deposition,Japanese Journal of Applied Physics,44 1361-1364,2005年03月

    K. Yasui, J. Eto, Y. Narita, M. Takata and T. Akahane

    共著(海外含む)

  • Ge-Dot Formation on Si(111) 7×7 Surface with C Predeposition Using Monomethylsilane,Japanese Journal of Applied Physics,44 L123-L125,2004年12月

    Y. Narita, M. Sakai, T. Murata, T. Endoh and M. Suemitsu

    共著(海外含む)

  • Si c(4×4) structure appeared in the initial stage of 3C-SiC epitaxial growth on Si(001) using monomethylsilane and dimethylsilane,Applied Surface Science,212-213 730-734,2003年12月

    Y. Narita, T. Inubushi, K. Yasui and T. Akahane

    共著(海外含む)

  • Initial stage of 3C-SiC growth on Si(001)-2×1 surface using monomethylsilane,Applied Surface Science,216 575-579,2003年12月

    Y. Narita, T. Inubushi, M. Harashima, K. Yasui and T. Akahane

    共著(海外含む)

  • In situ observation of reflection high-energy electron diffraction during the initial growth of SiC on Si using dimethylsilane,Journal of Crystal Growth,237-239 1254-1259,2002年12月

    K. Yasui, Y. Narita, T. Inubushi and T. Akahane

    共著(海外含む)

  • ジメチルシランを用いたSi表面でのSiC成長初期過程,表面科学,22 566-572,2001年12月

    成田克、安井寛治、赤羽正志

    共著(海外含む)

  • Gate voltage-dependent Aharanov–Bohm experiment in the presence of Rashba spin–orbit interaction,Physica E,6 318-321,2000年12月

    J. Nitta, F. Meijer, Y. Narita, H. Takayanagi

    共著(海外含む)

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総説・解説記事

  • 有機ケイ素化合物を用いたSiCヘテロエピタキシャル成長,応用物理学会,応用物理,74(6) 749-754,2005年06月

    安井寛治,成田克,赤羽正志

学術関係受賞

  • 平成23年度日本表面科学会論文賞,2011年12月15日,日本国,日本表面科学会,「Yu Miyamoto」「Hiroyuki Handa」「Eiji Saito」「Atsushi Konno」「Yuzuru Narita」「Maki Suemitsu」「Hirokazu Fukidome」「Takashi Ito」「Kanji Yasui」「Hideki Nakazawa」「Tetsuo Endoh」

科研費(文科省・学振)獲得実績

  • 挑戦的萌芽研究,2013年04月 ~ 2015年03月,炭化ケイ素を用いたダークマテリアル創製への挑戦

    炭化ケイ素を用いたダークマテリアル創製への挑戦

  • 基盤研究(C),2009年04月 ~ 2010年03月,ラジカル表面励起法を用いた室温原子層堆積法の研究

    ラジカル表面励起法を用いた室温原子層堆積法の研究

  • 若手研究(B),2007年04月 ~ 2009年03月,星間水素分子生成ダイナミクス:水氷表面で生成脱離する水素分子の速度分布測定

    固体表面で生成脱離する水素分子の速度分布測定装置の開発と測定

  • 特別推進研究,2006年04月 ~ 2010年03月,水素-表面反応基礎過程;スピン効果、反応ダイナミクス、及び星間水素分子の起源

    反応ダイナミクスを担当

その他競争的資金獲得実績

  • 公益財団法人高橋産業経済研究財団,2023年04月 ~ 2024年03月,表面形態制御による炭化ケイ素薄膜型電磁波遮蔽体の創製

    民間財団等

  • 日揮・実吉奨学会研究助成,2014年09月 ~ 2015年08月,異常成長炭化ケイ素膜の形成メカニズム解明とテラヘルツ波帯デバイス開発への挑戦

    民間財団等

  • 住友電工グループ社会貢献基金 2012年度学術・研究助成,2012年10月 ~ 2013年09月,水素‐炭化ケイ素表面反応によるグラフェン低温形成技術の開発

    水素‐炭化ケイ素表面反応によるグラフェン低温形成技術の開発

    民間財団等

  • 平成24年度科学研究費補助金に関する若手教員研究助成,2012年08月 ~ 2013年03月,スピン偏極水素原子吸着による磁性金属表面での電子‐正孔対生成のスピン効果

    スピン偏極水素原子吸着による磁性金属表面での電子‐正孔対生成のスピン効果

    山形大学

  • 平成23年度科学研究費補助金に関する若手教員研究助成,2011年08月 ~ 2012年03月,金属表面上でのスピン偏極水素原子吸着による電子‐正孔対生成のスピン効果

    金属表面上でのスピン偏極水素原子吸着による電子‐正孔対生成のスピン効果

    山形大学

  • 平成22年度科学研究費補助金に関する若手教員研究助成,2010年08月 ~ 2011年03月,水素プラズマ-炭化ケイ素表面反応:シリコン上への低温グラフェン形成法の確立

    水素プラズマ-炭化ケイ素表面反応によって,低温グラフェン形成技術の確立

    山形大学

  • 平成20年度米沢市研究奨励補助金事業,2008年04月 ~ 2009年03月,走査型反射電子線回折/オージェ電子分光装置の機能性検討

    走査型反射電子線回折/オージェ電子分光装置の機能性検討

    米沢市

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受託研究受入実績

  • 世界の知を呼び込むIT・輸送システム融合型エレクトロニクス技術の創出,2016年11月 ~ 2022年03月,一般受託研究

  • 耐災害性に優れた安心・安全社会のためのスピントロニクス材料・デバイス基盤技術の研究開発,2012年09月 ~ 2017年03月,一般受託研究

研究発表

  • 第78回応用物理学会東北支部学術講演会,国際会議,2023年12月,盛岡市アイーナいわて県民情報交流センター&オンライン,5GHz帯パッチアンテナアレイの設計と作製・評価,口頭発表(一般)

  • 第78回応用物理学会東北支部学術講演会,国際会議,2023年12月,盛岡市アイーナいわて県民情報交流センター&オンライン,n-SiC/p-Siヘテロ構造の横方向における非線形なI-V特性の伝導経路,口頭発表(一般)

  • 第78回応用物理学会東北支部学術講演会,国際会議,2023年12月,盛岡市アイーナいわて県民情報交流センター&オンライン,Si(100) 上に形成したS i{111} の面数とその上に成長させた3 C SiC(100) の結晶品質の関係,口頭発表(一般)

  • 第78回応用物理学会東北支部学術講演会,国際会議,2023年12月,盛岡市アイーナいわて県民情報交流センター&オンライン,MKIDsアレイの周波数特性の改善に向けたCPWの設計及び作製と評価,口頭発表(一般)

  • 第78回応用物理学会東北支部学術講演会,国際会議,2023年12月,盛岡市アイーナいわて県民情報交流センター&オンライン,24GHz帯パッチアンテナアレイ の 設計・作製と評価,口頭発表(一般)

  • 第84回応用物理学会秋季学術講演会,国内会議,2023年09月,熊本城ホールと周辺3会場+オンライン,窒化ニオブ膜を用いた two-step MKIDs の作製プロセス,ポスター発表

  • 第84回応用物理学会秋季学術講演会,国内会議,2023年09月,熊本城ホールと周辺3会場+オンライン,無線電力伝送用 高温 超伝導バルク共振器アレイアンテナの設計,ポスター発表

  • 2023年第70回応用物理学会春季学術講演会,国内会議,2023年03月,上智大学四谷キャンパス + オンライン,多枚数近接昇華(MCSS)法によりエピタキシャル成長した4H-SiCの特性,口頭発表(一般)

  • 第5回「厳環境下IoT ワイドギャップ素子研究会」,国内会議,2023年01月,(公財)科学技術交流財団 研究交流センター + オンライン,モノメチルシランを用いた3C-SiC低温成長,口頭発表(一般)

  • 第77回応用物理学会東北支部学術講演会,国際会議,2022年12月,東北大学片平キャンパス さくらホール2F会議室 + オンライン,常磁性・反磁性材料を用いた比透磁率と高周波損失の相関に関する研究,口頭発表(一般)

  • 第77回応用物理学会東北支部学術講演会,国際会議,2022年12月,東北大学片平キャンパス さくらホール2F会議室 + オンライン,Ar大気圧雰囲気下でのGOSグラフェン形成の試み,口頭発表(一般)

  • 第77回応用物理学会東北支部学術講演会,国際会議,2022年12月,東北大学片平キャンパス さくらホール2F会議室 + オンライン,逆ピラミッド構造Si(100)上へのMMSを用いた800℃での3C-SiC成長,口頭発表(一般)

  • 第77回応用物理学会東北支部学術講演会,国際会議,2022年12月,東北大学片平キャンパス さくらホール2F会議室 + オンライン,3C-SiC/Siヘテロ界面におけるリーク経路特定に向けた電気的特性評価,口頭発表(一般)

  • 第77回応用物理学会東北支部学術講演会,国際会議,2022年12月,東北大学片平キャンパス さくらホール2F会議室 + オンライン,3Dプリンターを用いた導波管フィルターの作製と評価,口頭発表(一般)

  • 第77回応用物理学会東北支部学術講演会,国際会議,2022年12月,東北大学片平キャンパス さくらホール2F会議室 + オンライン,超伝導バルク共振器アンテナにおける誘電体基板の厚さによる共振周波数の調整,口頭発表(一般)

  • 第77回応用物理学会東北支部学術講演会,国際会議,2022年12月,東北大学片平キャンパス さくらホール2F会議室 + オンライン,Nb共振器型two-step MKIDsの作製と評価,口頭発表(一般)

  • 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,国内会議,2022年09月,東北大学,モノメチルシランによる金属触媒上3C-SiCワイヤ成長,ポスター発表

  • 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,国内会議,2022年09月,東北大学,800℃で堆積させた3C-SiC成長モードのMMS圧力依存性,ポスター発表

  • 応用物理学会東北支部第76回学術講演会,国内会議,2021年12月,オンライン,AlGaN/GaN HEMT上オーミック電極の作製に向けたTi/Al/TiとTa/Al/Taの比較,口頭発表(一般)

  • 応用物理学会東北支部第76回学術講演会,国内会議,2021年12月,オンライン,モノメチルシランを用いた3C-SiC表面上へのSiCワイヤ成長,口頭発表(一般)

  • 応用物理学会東北支部第76回学術講演会,国内会議,2021年12月,オンライン,Si(111)基板上に堆積させた3C-SiC膜のMMS圧力依存性,口頭発表(一般)

  • 2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会,国内会議,2021年09月,オンライン,AlGaN/GaN HEMT上への表面平坦なTi/Al/Tiオーミック電極形成,ポスター発表

  • 第44回日本磁気学会学術講演会,国内会議,2020年12月,オンライン会議,Si3N4添加Fe薄膜の成膜条件と膜構造の関係,口頭発表(一般)

  • 2020年度応用物理学会九州支部学術講演会,国内会議,2020年11月,オンライン会議,3C-SiC膜上に成長したSiCウィスカーにおける発光と単一光子源への応用,口頭発表(一般)

  • 厳環境下IoT向け3C-SiC技術研究会,国内会議,2020年10月,オンライン会議,有機シランを用いた3C-SiC膜堆積とその応用,口頭発表(招待・特別)

  • 応用物理学会第74回東北支部学術講演会,国内会議,2019年12月,日本大学工学部,GaN-HEMTオーミック電極表面の平坦化に関する検討,口頭発表(一般)

  • 応用物理学会第74回東北支部学術講演会,国内会議,2019年12月,日本大学工学部,Si基板面方位を変えて堆積させた3C-SiC膜の表面形態観察と結晶方位測定,口頭発表(一般)

  • The 14th International Workshop of High-Temperature Superconductors in High Frequency Field (HTSHFF 2018),国際会議,2018年06月,Takamiya Hotel Rurikura Resort, Zao-Onsen, Yamagata, Japan,Improvement of microwave characteristic by Face-to-Face Feed MKIDs,ポスター発表

  • The 14th International Workshop of High-Temperature Superconductors in High Frequency Field (HTSHFF 2018),国際会議,2018年06月,Takamiya Hotel Rurikura Resort, Zao-Onsen, Yamagata, Japan,Design of transmitter filter using eight-pole cascaded quadruplet superconducting bulk resonator,ポスター発表

  • The 14th International Workshop of High-Temperature Superconductors in High Frequency Field (HTSHFF 2018),国際会議,2018年06月,Takamiya Hotel Rurikura Resort, Zao-Onsen, Yamagata, Japan,Evaluation of film quality and anodization rate of Nb thin film for fabrication of high quality SIS junction,ポスター発表

  • The 14th International Workshop of High-Temperature Superconductors in High Frequency Field (HTSHFF 2018),国際会議,2018年06月,Takamiya Hotel Rurikura Resort, Zao-Onsen, Yamagata, Japan,Development of HTS pickup coils for 40 MHz solid state NMR,ポスター発表

  • The 14th International Workshop of High-Temperature Superconductors in High Frequency Field (HTSHFF 2018),国際会議,2018年06月,Takamiya Hotel Rurikura Resort, Zao-Onsen, Yamagata, Japan,Design and fabrication of HTS pickup coils on 20×25 sapphire substrate for 40 MHz NMR,ポスター発表

  • 第65回応用物理学会春季学術講演会,国内会議,2018年03月,早稲田大学・西早稲田キャンパス,テクスチャ構造SiC薄膜の光学特性の表面粗さ依存性,ポスター発表

  • 第72回応用物理学会東北支部学術講演会,国内会議,2017年11月 ~ 2017年12月,秋田大学手形キャンパス,モノメチルシランを用いてSi基板上に堆積させたテクスチャ構造3C-SiC膜の光学評価,口頭発表(一般)

  • 第78回応用物理学会秋季学術講演会,国内会議,2017年09月,福岡国際会議場,水素原子を用いた3C-SiC/Si基板上へのグラフェンの低温形成,ポスター発表

  • 第64回応用物理学会春季学術講演会,国内会議,2017年03月,パシフィコ横浜,2重CoFeB-MgO界面構造を記録層に持つ垂直磁気異方性磁気トンネル接合の高速中性子耐性評価,ポスター発表

  • 第77回応用物理学会秋季学術講演会,国内会議,2016年09月,朱鷺メッセ,垂直磁気異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合の高速中性子耐性評価(IV),ポスター発表

  • 第77回応用物理学会秋季学術講演会,国内会議,2016年09月,朱鷺メッセ,YBCO薄膜の表面抵抗の磁場依存性‐印加磁場方向を膜面に平行,垂直及び5度傾けた場合‐,口頭発表(一般)

  • 第77回応用物理学会秋季学術講演会,国内会議,2016年09月,朱鷺メッセ,人工ピンを導入したYBCO 薄膜の磁場中マイクロ波表面抵抗,口頭発表(一般)

  • 第63回応用物理学会春季学術講演会,国内会議,2016年03月,東京工業大学 大岡山キャンパス,垂直磁気異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合の高速中性子耐性評価(III),ポスター発表

  • 第70回応用物理学会東北支部学術講演会,国内会議,2015年12月,南田温泉 ホテルアップルランド,モノメチルシランを用いた石英基板上への多結晶SiC膜堆積とその光学特性,ポスター発表

  • 第76回応用物理学会秋季学術講演会,国内会議,2015年09月,名古屋国際会議場,垂直磁気異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合の高速中性子耐性評価(II),ポスター発表

  • 第62回応用物理学会春季学術講演会,国内会議,2015年03月,東海大学,垂直磁気異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合の高速中性子耐性評価,ポスター発表

  • 第62回応用物理学会春季学術講演会,国内会議,2015年03月,東海大学,自然酸化膜付Si基板上へのモノメチルシランを用いたSiC薄膜高速成長(II),ポスター発表

  • 第75回応用物理学会秋季学術講演会,国内会議,2014年09月,北海道大学,水素原子を用いたSiC表面のグラフェン形成温度の低温化,ポスター発表

  • 第75回応用物理学会秋季学術講演会,国内会議,2014年09月,北海道大学,自然酸化膜付Si 基板上へのモノメチルシランを用いたSiC薄膜高速成長,ポスター発表

  • 第61回応用物理学会春季学術講演会,国内会議,2014年03月,青山学院大学,Si(100)表面での水素吸着kinetics,ポスター発表

  • 第32会表面科学学術講演会,国内会議,2012年11月,Si(100)表面での水素吸着/脱離kinetics,口頭発表(一般)

  • 第32会表面科学学術講演会,国内会議,2012年11月,ガスソースMBEを用いたSi上の高密度Geナノドットの積層構造,口頭発表(一般)

  • 第73回応用物理学会学術講演会,国内会議,2012年09月,Si(100)表面での水素吸着/脱離に関する研究:残された課題とは,口頭発表(一般)

  • CPM研究会,国内会議,2012年08月,山形大学工学部,ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性,口頭発表(一般)

  • 第59回応用物理学関係連合講演会,国内会議,2012年03月,早稲田大学,格子ガスモデルを用いたSi(100)表面からの水素脱離スペクトル計算,口頭発表(一般)

  • 第31回表面科学学術講演会,国内会議,2011年12月,タワーホール船堀,SiC 薄膜を介したSi 基板上エピタキシャルグラフェンの形成,口頭発表(一般)

  • 第31回表面科学学術講演会,国内会議,2011年12月,タワーホール船堀,SiC 層に埋め込まれたGe ナノドットの発光特性,口頭発表(一般)

  • 電子部品・材料研究会,国内会議,2011年08月,弘前大学,SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性 ,口頭発表(一般)

  • 真空・表面科学合同講演会,国内会議,2010年11月,大阪大学コンベンションセンター,拡散支援脱離モデルによるSi(100)表面からの水素熱脱離スペクトル,ポスター発表

  • The 27th European Conference on Surface Science,国際会議,2010年08月 ~ 2010年09月,オランダ グローニンゲン,Temperature-programmed-desorption spectra of hydrogen molecules from Si(100)-2x1 surface by a diffusion-promoted-desorption mechanism,ポスター発表

  • 2010年度<第57回>応用物理学関係連合講演会,国内会議,2010年03月,東海大学,6T:C60共蒸着太陽電池に対する段階的なアニール効果,口頭発表(一般)

  • 2010年度<第57回>応用物理学関係連合講演会,国内会議,2010年03月,東海大学,Si(100)表面での拡散支援機構に従う水素熱脱離における脱離サイトの検討,ポスター発表

  • 第19回日本MRSシンポジウム,国内会議,2009年12月,Enhancement of open circuit voltage by stepwise annealing on sexithiophene:C60 co-evaporation based solar cells,口頭発表(一般)

  • 第50回真空に関する連合講演会,国内会議,2009年11月,水素-Si(100)表面におけるDetailed balanceの再度の破れ,口頭発表(一般)

  • 2009年秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会,国内会議,2009年09月,等温熱脱離法を用いたSi(100),(110),(111)表面からの水素脱離バリアーの評価,ポスター発表

  • 2009年秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会,国内会議,2009年09月,H原子によるD吸着Si(100)表面からの水素引抜き反応ダイナミクス,口頭発表(一般)

  • 2009年秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会,国内会議,2009年09月,Monte-Carlo法を用いた拡散支援脱離機構によるSi(100)表面からの水素脱離スペクトル,口頭発表(一般)

  • 電子情報通信学会電子部品・材料(CPM)研究会,国内会議,2009年08月,昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価,口頭発表(一般)

  • 電子情報通信学会電子部品・材料(CPM)研究会,国内会議,2009年08月,有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価,口頭発表(一般)

  • 電子情報通信学会電子部品・材料(CPM)研究会,国内会議,2009年08月,間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長,口頭発表(一般)

  • 電子情報通信学会電子部品・材料(CPM)研究会,国内会議,2009年08月,半導体工学教育用簡易MOSFET作製プロセス,口頭発表(一般)

  • 電子情報通信学会電子デバイス(ED)研究会,国内会議,2009年04月,界面制御による色素増感太陽電池の高効率化,口頭発表(一般)

  • 電子情報通信学会電子デバイス(ED)研究会,国内会議,2009年04月,有機ゲートを用いたSiGe/Si/SiとIGBTの試作と評価,口頭発表(一般)

  • 第56回応用物理学学術講演会,国内会議,2009年03月 ~ 2009年04月,D吸着Si表面から引き抜かれたHD分子の飛行時間分布測定,口頭発表(一般)

  • 第56回応用物理学学術講演会,国内会議,2009年03月 ~ 2009年04月,Si 原料に有機シランを用いたプラズマCVD 法によるSi 添加DLC 膜の膜特性評価,口頭発表(一般)

  • 第56回応用物理学学術講演会,国内会議,2009年03月 ~ 2009年04月,ホットメッシュCVD法を用いたGaN成長におけるパルスガス供給の効果,口頭発表(一般)

  • 第56回応用物理学学術講演会,国内会議,2009年03月 ~ 2009年04月,半導体工学教育用簡易MOSFET作製プロセス,口頭発表(一般)

  • 第56回応用物理学学術講演会,国内会議,2009年03月 ~ 2009年04月,有機シランULP-CVD による多結晶3C-SiC の低温・超高速製膜,口頭発表(一般)

  • The 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology,国際会議,2008年11月,D2 Isothermal Desorption from Monodeuteride Phase on Si(100)-2x1 Surface,口頭発表(一般)

  • The 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-4),国際会議,2008年10月,Analysis of beta1-TPD Spectra from Si(100) Surface,ポスター発表

  • 第69回応用物理学会学術講演会,国内会議,2008年09月,原子状水素によるSi 添加DLC 膜のエッチング,口頭発表(一般)

  • 電子情報通信学会電子部品・材料(CPM)研究会,国内会議,2008年08月,6T/TiO2接合を用いた有機無機へテロダイオードの光応答特性,口頭発表(一般)

  • 電子情報通信学会電子部品・材料(CPM)研究会,国内会議,2008年08月,界面制御による色素増感太陽電池の高効率化,口頭発表(一般)

  • 電子情報通信学会電子部品・材料(CPM)研究会,国内会議,2008年08月,SiGeアノード層を用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化,口頭発表(一般)

  • 第5回Cat-CVD研究会,国内会議,2008年06月,メッシュ状金属キャタライザを用いたGaN結晶のエピタキシャル成長,口頭発表(一般)

  • 第55回応用物理学学術講演会,国内会議,2008年03月,H induced abstraction reactions on D/Si(110) surfaces,口頭発表(一般)

  • 第55回応用物理学学術講演会,国内会議,2008年03月,等温熱脱離から求めた水素脱離エネルギーのSi面方位依存性,口頭発表(一般)

  • 第55回応用物理学学術講演会,国内会議,2008年03月,Si(110)面上1原子層酸化膜の形成過程とその界面結合状態,口頭発表(一般)

  • 第55回応用物理学学術講演会,国内会議,2008年03月,赤外干渉法によるSi基板上3C-SiC薄膜成長のリアルタイムモニタリング,口頭発表(一般)

  • 第55回応用物理学学術講演会,国内会議,2008年03月,Si(100)表面のmonohydride相からの水素脱離スペクトルの解析,口頭発表(一般)

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担当授業科目

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学会・委員会等活動

  • 応用物理学会,2011年秋季学術講演会 現地実行委員,2010年08月 ~ 2011年09月

  • 応用物理学会東北支部,第68回応用物理学会東北支部学術講演会実行委員,2013年10月 ~ 2013年12月

  • 応用物理学会,東北支部 会計幹事,2014年01月 ~ 2016年03月

  • 応用物理学会東北支部,企画運営委員,2014年01月 ~ 継続中

  • 応用物理学会,強的秩序とその操作に関わる研究グループ 庶務幹事,2015年09月 ~ 2020年12月

  • 応用物理学会強的秩序とその操作に関わる研究グループ,庶務幹事,2015年09月 ~ 2020年12月

  • 応用物理学会,SSDM2017現地実行委員,2016年11月 ~ 2017年09月

  • 応用物理学会,代議員,2018年02月 ~ 2020年01月

  • 応用物理学会,強的秩序とその操作に関わる研究会 庶務幹事,2021年01月 ~ 継続中

  • 応用物理学会東北支部,第76回応用物理学会東北支部学術講演会実行委員,2021年10月 ~ 2021年12月

  • 東北・半導体エレクトロニクスデザイン研究会,研究会メンバー,2023年02月 ~ 継続中

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社会貢献活動

  • リフレッシュ理科教室 ,2023年08月

  • 出前授業(秋田県立角館高校),2023年06月

  • 出前授業(五所川原工科高校),2023年04月

  • 出前授業(学法石川高校),2023年03月

  • リフレッシュ理科教室 ,2022年08月

  • 出前授業(鶴岡中央),2021年11月

  • 出前授業(五所川原第一高校),2021年09月

    コロナ感染拡大で中止

  • バーチャルオープンキャンパス模擬講義,2021年08月

  • 興譲館高校SSHグリーンイノベーション・ライフイノベーション実験講座,2021年06月

  • 出前授業(山形工業高校),2020年12月

  • 出前授業(山形工業高校),2020年11月

  • 出前授業(三沢高校),2020年06月

    コロナ感染拡大で中止

  • 出前授業(羽黒高校),2019年11月

  • 研究室見学(田村高校),2019年10月

  • リフレッシュ理科教室 ,2019年08月

  • 研究室見学(新発田南高校),2019年07月

  • 科学系部(クラブ)生徒講習・研究交流会「サイエンスジャンボリー」,2018年09月

  • リフレッシュ理科教室 ,2018年08月

  • 興譲館高校SSHグリーンイノベーション・ライフイノベーション実験講座,2018年07月

  • 小・中学生のためのサイエンス広場,2016年11月

  • 科学フェスティバル,2016年07月

  • 小・中学生のためのサイエンス広場,2015年11月

  • 研究室見学(米沢市立第二中学校),2015年09月

  • 小・中学生のためのサイエンス広場,2014年10月

  • リフレッシュ理科教室,2014年08月

  • サイエンス・デイ,2014年07月

  • 文部科学省 科学技術動向研究センター 専門調査員,2013年06月 ~ 継続中

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学術貢献活動

  • 2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会,2011年08月 ~ 2011年09月

  • 第70回応用物理学会東北支部学術講演会,2015年12月

  • 第69回応用物理学会東北支部学術講演会,2014年12月

  • 強的秩序とその操作に関わる第14回研究会,2022年01月

  • 強的秩序とその操作に関わる第13回研究会夏の学校,2021年09月

  • 強的秩序とその操作に関わる第12回研究会,2021年01月

  • 強的秩序とその操作に関わる研究グループ 第11回研究会ー若手夏の学校ー,2020年09月

  • 強的秩序とその操作に関わる研究グループ 第10回研究会,2020年01月

  • 強的秩序とその操作に関わる研究グループ 第9回研究会ー若手夏の学校ー,2019年09月

  • 強的秩序とその操作に関わる研究グループ 第8回研究会,2019年01月

  • 強的秩序とその操作に関わる研究グループ 第7回研究会ー若手夏の学校ー,2018年09月

  • 強的秩序とその操作に関わる研究グループ 第6回研究会,2018年01月

  • 強的秩序とその操作に関わる研究グループ 第5回研究会,2017年09月

  • 強的秩序とその操作に関わる研究グループ 第4回研究会,2017年01月

  • 誘電体・磁性体 若手 夏の学校,2016年08月

  • 強的秩序とその操作に関わる研究グループ 第1回研究会,2016年01月

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相談に応じられる分野